特許

J-GLOBAL ID：200903001097753786

半導体装置及びその製造方法

発明者： アン・ソンテ ,  林田 茂樹
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272879
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114730
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板(1)表面層に形成されたソース/ドレイン領域(9)の端部近傍であって、かつソース/ドレイン領域(9)とソース/ドレイン領域(9)との間に形成されるチャネルの下方に高濃度不純物拡散領域(8)が形成されている半導体装置。【効果】 表面反転層がつくられないようなゲートに電圧を印加した場合の空乏層の広がりを抑制して、短チャネル効果を改善するとともに、半導体基板(1)全面の不純物濃度を高くした場合に生じるソース/ドレイン領域(9)と半導体基板(1)との接合部のリーク電流の増大及び降伏電圧の減少を防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面層に形成されたソース/ドレイン領域の端部近傍であって、かつ前記ソース/ドレイン領域とソース/ドレイン領域との間に形成されるチャネルの下方に高濃度不純物拡散領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/74