特許
J-GLOBAL ID:200903001098563425

太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大岩 増雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-029355
公開番号(公開出願番号):特開2001-223372
出願日: 2000年02月07日
公開日(公表日): 2001年08月17日
要約:
【要約】【課題】 本発明は太陽電池の電極を簡易なプロセスで量産する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明による太陽電池の製造方法は、電極形状に対応する開口部を有するマスク装置をシリコン基板上に設ける工程と、前記マスク装置を設けた前記シリコン基板上に研掃材を噴射することにより前記開口部に対応する溝を形成する工程と、前記シリコン基板に形成された溝に電極を形成する工程とを含むものである。
請求項(抜粋):
電極形状に対応する開口部を有するマスク装置をシリコン基板上に設ける工程と、前記マスク装置を設けた前記シリコン基板上に研掃材を噴射することにより前記開口部に対応する溝を形成する工程と、前記シリコン基板に形成された溝に電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (3件):
H01L 31/04 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/304 601
FI (3件):
H01L 21/288 Z ,  H01L 21/304 601 B ,  H01L 31/04 H
Fターム (10件):
4M104BB08 ,  4M104DD51 ,  4M104FF27 ,  4M104GG20 ,  5F051CB27 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051FA17 ,  5F051FA24 ,  5F051GA04

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