特許
J-GLOBAL ID：200903001100136106
酸化第1銅膜の堆積法及び該酸化第1銅膜堆積法を用いた半導体デバイスの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325187
公開番号（公開出願番号）：特開平11-140689
出願日： 1997年11月12日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：
【要約】【目的】 半導体デバイス用基板上に、所望のパターンに良質の酸化第1銅膜を堆積することを可能にする方法及び該方法を使用する集積化直列接続太陽電池などの半導体デバイスの製造方法を提供する。【構成】 少なくとも表面の一部が電気伝導性であり該表面の別の一部が絶縁性であるパターンを有する半導体デバイス用基板を銅イオンと硝酸イオンの共存する溶液に浸漬し、該基板の前記電気伝導性の部分にカソード反応により酸化第1銅膜を選択的に堆積する方法。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面の一部が電気伝導性であり該表面の別の一部が絶縁性であるパターンをもつ半導体デバイス用基板を、銅イオンと硝酸イオンの共存する溶液に浸漬し、該基板の前記電気伝導性の部分にカソード反応により酸化第1銅膜を選択的に堆積する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
