特許

J-GLOBAL ID：200903001101564420

低温焼成磁器およびこれを備えた電子部品

発明者： 大渕 武志 ,  幸田 泰典 ,  馬場 英行
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014351
公開番号（公開出願番号）：特開2000-211970
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：

【要約】【課題】BaO-SiO2 -Al2 O3 系の低温焼成磁器において、誘電率εrが10以下であり、品質係数Qが2500以上であり、かつ共振周波数の温度係数τfの絶対値が30ppm/°C以下の、高強度の低温焼成磁器を提供する。【解決手段】低温焼成磁器は、バリウム成分をBaOに換算して40-65重量%、珪素成分をSiO2 に換算して25-46重量%、アルミニウム成分をAl2 O3 に換算して0.1-20重量%、ホウ素成分をB2 O3 に換算して0.3-1.5重量%、クロム成分を酸化クロムに換算して0.5-3.5重量%、および亜鉛成分をZnOに換算して0.5-20重量%含有しており、誘電率εrが10以下であり、品質係数Qが2500以上であり、共振周波数の温度係数τfの絶対値が30ppm/°C以下である。

請求項（抜粋）：

バリウム成分をBaOに換算して40-65重量%、珪素成分をSiO2 に換算して25-46重量%、アルミニウム成分をAl2 O3 に換算して0.1-20重量%、ホウ素成分をB2 O3 に換算して0.3-1.5重量%、クロム成分を酸化クロムに換算して0.5-3.5重量%、および亜鉛成分をZnOに換算して0.5-20重量%含有しており、誘電率εrが10以下であり、品質係数Qが2500以上であり、共振周波数の温度係数τfの絶対値が30ppm/°C以下であることを特徴とする、低温焼成磁器。

IPC (7件)：

C04B 35/495 ,  C04B 35/16 ,  H01B 3/12 335 ,  H01B 3/12 336 ,  H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/30 301

FI (7件)：

C04B 35/00 J ,  H01B 3/12 335 ,  H01B 3/12 336 ,  H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/30 301 E ,  C04B 35/16 Z

Fターム (43件)：

4G030AA10 ,  4G030AA22 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030CA03 ,  4G030GA27 ,  5E001AB03 ,  5E001AD04 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE04 ,  5E001AH05 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BB01 ,  5E082BB05 ,  5E082BC33 ,  5E082EE04 ,  5E082EE35 ,  5E082FF15 ,  5E082FG06 ,  5E082FG25 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG54 ,  5E082LL02 ,  5E082PP01 ,  5E082PP03 ,  5E082PP10 ,  5G303AA05 ,  5G303AB05 ,  5G303AB15 ,  5G303BA11 ,  5G303CA03 ,  5G303CB01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB30 ,  5G303CB38