特許
J-GLOBAL ID：200903001117624295
半導体光導波路およびその製造方法並びに光導波路型素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296414
公開番号（公開出願番号）：特開平7-146413
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 簡単かつ容易に作製でき、導波路損失が少なく、かつ光位相変調が可能な半導体光導波路およびその作製方法を提供する。【構成】 半導体基板11の(100)面11aに、ストライプ状のパターンで断面略V字状に形成された溝12の内部に、この溝のパターンに沿ってストライプ状に延びる高屈折率の導波部15を有する。導波部15が、断面逆メサ状をなし、下面15aおよび両側面15b,15bが第1の低屈折率半導体層14に接し、上面15cが第2の低屈折率半導体層16に接している。各層13〜17は、MOCVD法により、下地の面方位が反映する所定の条件で連続的に成長させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の(100)面に、ストライプ状のパターンで断面略V字状または略U字状に形成された溝の内部に、この溝のパターンに沿ってストライプ状に延びる高屈折率の導波部と、この導波部の周囲に設けられた低屈折率の半導体層を有する半導体光導波路であって、上記溝内に、面方位(100)の中央部と、この中央部の両側に連なる面方位(m11)B(ただし、mは1以上とする。以下同様。)の傾斜部とを持つ断面略V字状の第1の低屈折率半導体層を備え、上記導波部は、面方位(100)の高屈折率半導体層からなり、下面が上記第1の低屈折率半導体層の中央部、両側面が上記第1の低屈折率半導体層の傾斜部に接して断面逆メサ状をなし、上記溝内に、上記導波部の上面に接する第2の低屈折率半導体層を備えることを特徴とする半導体光導波路。
IPC (3件)：
G02B 6/12
, H01L 27/15
, H01S 3/18
