特許

J-GLOBAL ID：200903001120664222

CVD法及びPECVD法による低温成膜方法及び装置

発明者： ロバート エフ フォスター ,  ジョセフ ティー ヒルマン ,  リキット エオラ
出願人/特許権者： マテリアルズ リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-500804
公開番号（公開出願番号）：特表平10-501300
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】CVD法及びPECVD法による低温成膜は、ガス分散シャワーヘッド(36)を回転基板から25mm(1インチ)以内に配置して行われる。このシャワーヘッドは、上記リングとシャワーヘッドの間で定常ガス流を生成するような、ガス分散リング(50,52)より下の適当な距離に配置される。円筒機構は、上記ガス分散リングとシャワーヘッドの間まで延長され、上記基板の全面で薄い境界層を生成するようにし、上記シャワーヘッド全体にガスを入れている。このシャワーヘッドには、RFエネルギが印加され、PECVDほうにおいては基板近傍でプラズマを励起する電極として機能する。このシリンダ(60)は、シリンダ内でプラズマが励起されることを防ぐために、石英等の絶縁用のリング62でシャワーヘッドと絶縁されるか、全体が石英材料で作られる。このRFシャワーヘッドは、小さなガスの分散孔(64)を用いてシリンダ内でプラズマが励起することをさらに防いでいる。

請求項（抜粋）：

反応室中で化学気相成長法により基板上に成膜する成膜装置であって、 上記反応室中で上記基板を支持し、回転させ、上記基板にむかうポンピング作用を行う回転サセプタと、 上記回転サセプタ及び支持された基板の表面に対して25mm(1インチ)以内の距離に対向配置され、上記回転サセプタのポンピング作用により上記回転サセプタ及び基板の近傍に反応ガスを分散するための複数の孔を有するシャワーヘッド状ガス分散手段と、 上記ガス分散手段から離れた位置に置かれ、上記シャワーヘッド状ガス分散手段から分散される上記反応ガスを供給し、供給された反応ガスが上記シャワーヘッド状分散手段を通って分散されるまでの間に均一なガス流を生成するように上記シャワーヘッド状ガス分散手段から離れて設けられたガス供給手段と、 を備え、 上記シャワーヘッド状ガス分散手段から分散される反応ガスが、上記基板の全面に亘る均一なガス流を生じ、上記基板上での化学気相成長の効率を向上する ことを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C