特許

J-GLOBAL ID：200903001121294313

埋め込み層の形成方法

発明者： ヴォルフガング ベルクナー ,  ヨハン アルスマイヤー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086314
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312794
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 厚さのさらに小さな変動を有する改善された埋め込みストラップを提供する。【解決手段】 変動の減少は、埋め込み層の頂面をかつそれから埋め込み層の下側面を定義することによって達成される。その結果、埋め込みストラップの変動の改善された制御が達成され、それによりICの特性の改善が達成される。

請求項（抜粋）：

埋め込み層の形成法において、基板に半導体材料を満たしたトレンチを設け、トレンチが、トレンチの上側部分の側壁を覆う誘電体カラーを有し、トレンチの上側部分におけるトレンチ側壁から半導体材料を分離し;基板の表面の下の半導体材料に凹部を設け、凹部が、埋め込み層の頂面を定義し;埋め込み層の頂面の下のカラーに凹部を設け、半導体材料の頂面を囲む凹部領域を構成し、その際、凹部領域の底面が、埋め込み層の下側表面を定義し;ライナを堆積し、凹部領域を充填し;かつライナ、線、トレンチの側壁及び半導体材料の頂面から過剰の材料を除去し、ライナを充填されたまま凹部領域を残す:ことを特徴とする、埋め込み層の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 27/04 C