特許

J-GLOBAL ID：200903001127467112

ゲート回路及びそれを含む半導体装置

発明者： 南 正隆 ,  橘 大 ,  樋口 久幸 ,  鈴木 誠 ,  渡辺 篤雄 ,  長野 隆洋
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063617
公開番号（公開出願番号）：特開平5-268058
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 MOSFETのホットキャリア耐圧やドレイン・ソース間耐圧より電源電圧を高くしても、そのゲート耐圧を充分に確保できるゲート回路の提供。【構成】 電源端子8と出力端子7間に接続された第1素子1及び出力端子7と接地端子9間に接続された第2素子2からなり、出力端子7に接続の負荷を駆動する出力段と、駆動用MOSFET3及び一定電圧降下素子5と電荷引抜用のMOSFET4との直列接続体からなり、第1素子1及び/または第2素子2の入力電極に接続された駆動段とを有するゲート回路であって、駆動用のMOSFET3の導電型と電荷引抜用のMOSFET4の導電型とが互いに相補であり、かつ、駆動用のMOSFET3のゲート酸化膜の厚みが電荷引抜用のMOSFET4のゲート酸化膜の厚みよりも厚く構成されている。

請求項（抜粋）：

一方の電源端子と出力端子間に接続された第1の素子及び前記出力端子と他方の電源端子間に接続された第2の素子からなり、前記出力端子に接続の負荷を駆動する出力段と、少なくとも駆動用の絶縁ゲート型FET及び一定電圧降下素子と電荷引抜用の絶縁ゲート型FETとの直列接続体からなり、前記第1の素子及び/または第2の素子の入力電極に接続された駆動段とを有するゲート回路において、前記駆動用の絶縁ゲート型FETの導電型と前記電荷引抜用の絶縁ゲート型FETの導電型とが互いに相補であり、かつ、前記駆動用の絶縁ゲート型FETのゲート絶縁膜の厚みと前記電荷引抜用の絶縁ゲート型FETのゲート酸化膜の厚みとが異なっていることを特徴とするゲート回路。

IPC (3件)：

H03K 19/08 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-011134
  
• 特開昭64-017912
  
• 特開昭64-075742
  
• 特開平1-012533