欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：齋藤和則 , 伊東哲也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-570189
公開番号（公開出願番号）：特表2005-517996
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

フォトリソグラフィ・プロセスで使用するためにフォトマスク(52)を修理するためのシステムおよび方法が開示され、当該フォトマスク(52)は基板層(38)および基板層(38)上のクロム層(36)からなり、クロム層(36)内に欠陥(42)を有するものであって、当該方法は、超短波パルス化レーザ・ビームを生成するためのパルス化レーザ源(1)を提供すること、所望の目標位置でパルス化レーザ・ビームを走査、方向指示、および焦点合わせするための光学素子を提供すること、当該基板を介してパルス化レーザ・ビームを方向指示すること、およびこれを回折光学素子(34)を書き込むために欠陥(42)に隣接する基板内に位置する目標位置上に焦点合わせすること、その結果、目標位置での基板の散乱特性を変更することを有するものである。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィ・プロセスで使用するためのフォトマスクを修理するための方法であって、前記フォトマスクは基板層と前記基板層上のクロム層とからなり、前記クロム層に欠陥を有するものであり、前記方法は、超短波パルス化レーザ・ビームを生成するためのパルス化レーザ源を提供するステップと、前記パルス化レーザ・ビームを所望の目標位置で走査、方向指示、および焦点合わせするための光学素子を提供するステップと、前記基板を介して前記パルス化レーザ・ビームを方向指示するステップ、およびこれを回折光学素子を書き込むために前記欠陥に隣接する前記基板内に位置する目標位置上に焦点合わせするステップと、前記目標位置での前記基板の散乱特性を変更するステップと、を有する方法。

IPC (2件)：

G03F1/08 , H01L21/027

FI (2件)：

G03F1/08 W , H01L21/30 502P

Fターム (4件)：

2H095BD04 , 2H095BD18 , 2H095BD33 , 2H095BD34

引用特許：

出願人引用 (9件)

WO第902/16969 A2号
PCT/IL01/00789号
PCT/IL02/00407

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審査官引用 (10件)

特開昭62-066257
マーキング方法、装置及びマーキングされた光学部材
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-258854 出願人：住友重機械工業株式会社
特開昭62-066257

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