成膜装置および成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮本治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358147
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189455
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【目的】被成膜基板間および/または被成膜基板内において、均一な特性が得られる成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】内部反応管6の内部に複数のウェーハ12を搭載するボート10設ける。SiH4 ガスとPH3 ガスとを反応管下部供給用ガス配管82から供給する。PH3 ガスとキャリアガスとしてのN2 ガスとをマスフローコントローラ64、74により互いに独立にそれぞれ流量制御して多孔ノズル30に供給する。多孔ノズル30には、PH3 ガスだけでなくN2 ガスも供給されるので、PH3ガスの流量とは別にN2 ガスの流量を変えることによって、多孔ノズル30のガス導出口32から吹き出されるガスの流量比を最適化して、ウェーハ12間の特性を均一化できる。

請求項（抜粋）：

被成膜基板を収容可能な成膜室と、前記成膜室内に設けられた多孔ノズルであって、前記多孔ノズル内のガスの流れ方向に沿って複数のガス導出孔が設けられた多孔ノズルと、前記多孔ノズルに、成膜に関与する原料ガスを流量制御して導入可能な原料ガス導入手段と、前記多孔ノズルに、キャリアガスを前記原料ガスと独立に流量制御して導入可能なキャリアガス導入手段と、を備えることを特徴とする成膜装置。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-236471
特開平3-236471
レーザCVD法による薄膜形成方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-333850 出願人：日本電気株式会社

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