特許

J-GLOBAL ID：200903001137135827

素子分離用酸化阻止膜の形成方法

発明者： 高橋 洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168949
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017814
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板における結晶欠陥や格子歪等の発生を抑制しつつ素子分離用の半導体酸化膜を形成する。【構成】 Si基板11に緩衝用のSiO2 膜12を形成し、SiO2 膜12の表面を窒化してSiN膜13を形成し、CVD法でSiN膜13上にSiN膜14を堆積させる。そして、パターニング後のSiN膜13、14を酸化阻止膜にして、素子分離用のSiO2 膜15を形成する。SiN膜13、14は、SiN膜14のみに比べて膜質が優れており、酸化阻止能力を低下させることなくその膜厚を薄くすることができるので、SiO2 膜15を形成する際にSi基板11に与える応力を低減させることができる。

請求項（抜粋）：

素子分離用の半導体酸化膜を形成すべき半導体基板の表面に緩衝用の半導体酸化膜を形成する工程と、前記緩衝用の半導体酸化膜の表面を窒化して第1の半導体窒化膜を形成する工程と、前記第1の半導体窒化膜上に第2の半導体窒化膜を堆積させる工程とを有することを特徴とする素子分離用酸化阻止膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 331

FI (4件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 Z ,  H01L 27/06 102 D