光デバイスとその製造方法および半導体レーザ発振器

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-195578
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064471
出願日： 2004年07月01日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】簡単な構造を有し、しかも素子サイズをコンパクトにすることが可能なレーザ光の出力や制御、検出、導波などを行う光デバイスを得ること。【解決手段】活性層11とクラッド層12,13を積層して形成される2次元的な広がりを有するスラブ層14が2次元面内の周期的屈折率分布構造を有し、この周期的屈折率分布構造に対して導波路2となる線状欠陥領域を導入した2次元スラブフォトニック結晶構造によって構成される光デバイス10であって、導波路2の幅の異なる複数の領域3,4が、導波路2が直列に接続されるように構成される。【選択図】図1-2

請求項（抜粋）：

活性層とクラッド層を積層して形成される2次元的な広がりを有するスラブ層が2次元面内の周期的屈折率分布構造を有し、この周期的屈折率分布構造に対して導波路となる線状欠陥領域を導入した2次元スラブフォトニック結晶構造によって構成される光デバイスであって、前記導波路の幅の異なる複数の領域が、前記導波路が直列に接続されるように形成されることを特徴とする光デバイス。

IPC (2件)：

H01S5/22 , G02B6/12

FI (3件)：

H01S5/22 , G02B6/12 Z , G02B6/12 N

Fターム (20件)：

2H047KA02 , 2H047LA02 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047QA02 , 2H047RA08 , 2H047TA31 , 2H047TA43 , 5F173AA08 , 5F173AA44 , 5F173AB62 , 5F173AB65 , 5F173AB90 , 5F173AH14 , 5F173AP05 , 5F173AP09 , 5F173AP32 , 5F173AP33 , 5F173AP35 , 5F173AR06

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体波長変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-245851 出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

"Line-defect-waveguide-laser in 2D Photonic Crystal Slab"
"Photonic crystal tapers for ultracompact mode conversion"

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