特許

J-GLOBAL ID：200903001152840073

逆電圧保護機能を有する半導体回路

発明者： 杉田 尚正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-313393
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124325
出願日： 2001年10月11日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 電力損失の少ない保護回路を提供すること。【解決手段】 交換が可能な電池等による電源手段10により駆動される半導体回路11と、この半導体回路11に並列接続されたショットキーバリアダイオード12から成る保護回路とを備え、前記ショットキーバリアダイオード12は前記電源電圧より高い順方向電流立上り閾値電圧と大きな逆方向漏れ電流の特性を有して、前記電源手段が正常に接続10されている場合には、前記保護すべき半導体回路に順方向で並列接続されたショットキーバリアダイオード12に電流13がカットオフで流れず、前記電源手段が逆に接続15されている場合には、ショットキーバリアダイオード12に大きな逆方向漏れ電流16が流れる接続をすることにより、保護回路12での電力消費を軽減する逆電圧保護機能を有する半導体回路。

請求項（抜粋）：

電池により駆動される半導体回路と、前記半導体回路に並列接続で、前記電池の極性に対し順方向に接続されており、かつ、その順方向電圧電流特性における順方向電流立ち上がり閾値電圧が前記駆動電源電圧より大きい特性を有しているショットキーバリアダイオードから成る保護回路とを備えたことを特徴とする逆電圧保護機能を有する半導体回路。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H02H 7/18 ,  H02J 7/00

FI (3件)：

H02H 7/18 ,  H02J 7/00 T ,  H01L 27/04 H

Fターム (9件)：

5F038BH01 ,  5F038BH14 ,  5F038EZ20 ,  5G003BA01 ,  5G003DA02 ,  5G003FA05 ,  5G053AA16 ,  5G053CA05 ,  5G053EA07