特許

J-GLOBAL ID：200903001152925796

半導体装置及びその製造方法

発明者： 滝川 修
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-289794
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100773
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 抵抗の増大、パワーロスを抑制しつつハイパワー動作でのデバイス動作を可能とする半導体装置を製造歩留まり良く提供すること。【解決手段】 炭化珪素層2の第1の表面に島状に互いに離間して形成された複数のシリコン層11と、シリコン層11の各々に設けられた第1の電極4、6と、炭化珪素層2の第1の表面に対して裏面となる第2の表面に設けられた第2の電極9とを具備し、第1の電極4、6と第2の電極9との間に電流が流れることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

炭化珪素層の第1の表面に島状に互いに離間して形成され、炭化珪素よりも熱伝導度が低い半導体材料からなる複数の半導体層と、当該半導体層の各々に設けられた第1の電極と、前記炭化珪素層の第1の表面に対して裏面となる第2の表面に設けられた第2の電極とを具備し、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電流が流れることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861

FI (6件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 658 Z ,  H01L 29/91 A ,  H01L 29/91 F

Fターム (4件)：

5F040DC01 ,  5F040DC02 ,  5F040DC10 ,  5F040EE01