特許

J-GLOBAL ID：200903001153839656

高耐圧半導体装置

発明者： 佐田 智庸
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-212899
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049128
出願日： 2007年08月17日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】 高耐圧半導体装置では、高電圧配線に高電圧が印加された時、トランジスタのチャネル領域等が反転し、動作に異常をきたすことがあった。【解決手段】高電圧配線32に高電圧が印加されたときに、意図的に反転する領域33を設け、高電圧が印加されているときにオン状態となる能動素子50を備える。すなわち、能動素子50は、ソース領域25およびドレイン領域26と、ソース領域25およびドレイン領域26に接続された低電圧配線28、29とを含む。高電圧配線32は、低電圧配線28、29と上下方向に重ならないように、かつ、ソース領域25およびドレイン領域26間の上を覆うように設けられている。【選択図】 図1

請求項１：

半導体基板と、 前記半導体基板の表層部に形成された高耐圧能動素子領域と、 前記高耐圧能動素子領域に対して高電圧を印加するための高電圧配線と、を有する高耐圧半導体装置において、 前記高電圧配線の下方に、高電圧配線に高電圧が印加されたときに生じる電界により動作する能動素子が設けられていることを特徴とする、高耐圧半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L29/78 301G ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/04 H

Fターム (49件)：

5F038BH10 ,  5F038BH15 ,  5F038CA09 ,  5F038CD05 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BA02 ,  5F048BA07 ,  5F048BB16 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD02 ,  5F048BD06 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F140AB01 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD19 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG02 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK05 ,  5F140BK12 ,  5F140BK25 ,  5F140CA06 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-070694   出願人：松下電工株式会社