特許
J-GLOBAL ID：200903001153921247
高純度ムライトの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野村 滋衛 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-145355
公開番号（公開出願番号）：特開平7-048170
出願日： 1991年05月21日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 耐熱構造材料などに用いる比較的低温度の焼成で、耐熱性に優れ、かつ高純度なムライトを提供すること。【構成】 アルミニウムアルコキシドとケイ素アルコキシドを含有し、Al/Si 原子比が2〜7未満である混合物を、芳香族炭化水素溶媒中で200°Cから350°Cの温度で反応させ、得られた反応生成物を900°C以上の温度で焼成する。【効果】 1000°C以下の比較的低温度の焼成でムライトを得ることができ、かつ合成工程を簡略化できることにより、不純物の混入を回避できる結果、高純度なムライトを得ることができる。さらに、得られるムライトは1000°C以上の高温で焼成した後でも高表面積を維持し、優れた耐熱性を有しているので、触媒担体、特に高温燃焼触媒の担体として、また耐熱構造材料として適性を備えている。
請求項（抜粋）：
アルミニウムアルコキシドとケイ素アルコキシドとを含有し、Al/Si 原子比が2〜7未満である混合物を、芳香族炭化水素溶媒中で200°Cから350°Cの温度で反応させ、得られた反応生成物を900°C以上の温度で焼成することを特徴とする高純度ムライトの製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
