特許

J-GLOBAL ID：200903001154380290

半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法

発明者： 竹中 伸之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190239
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045652
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 液体窒素供給ラインの内壁よりダストが発生したり、電磁弁を頻繁に交換しなければならなかった。【課題解決手段】 製氷機5内において製造された粒状の氷6を半導体ウエハ8に噴射することにより、該半導体ウエハ8を洗浄し、且つ、窒素ガスと液体窒素12とを液体窒素供給ライン3を用いて製氷機5内に送り、該製氷機5内の温度を一定に保持する半導体ウエハ8の洗浄装置において、液体窒素供給ライン3より管径の細い、待機時に液体窒素12を製氷機5に送るバイパスライン11と、液体窒素供給ライン3の電磁弁9と、バイパスライン11の電磁弁14とを有する。

請求項（抜粋）：

液体冷媒が導入された水槽から上記液体冷媒を第1の供給ラインを用いて製氷機内に送り、該製氷機内において製造された粒状の氷を半導体ウエハに噴射することにより、該半導体ウエハを洗浄する半導体ウエハの洗浄装置において、上記第1の供給ラインより管径の細い、第2の供給ラインと、上記第1の供給ラインの開閉手段と、上記第2の供給ラインの開閉手段とを有することを特徴とする、半導体ウエハの洗浄装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 N