特許

J-GLOBAL ID：200903001155624304

量子位相電荷結合素子

発明者： ブレイス アレクサンドル ,  ヒルトン ジェルミ ピー
出願人/特許権者： ディー-ウェイヴ システムズ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-577344
公開番号（公開出願番号）：特表2005-521248
出願日： 2003年03月14日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

メゾスコピック位相素子及びメゾスコピック電荷素子を含む超伝導構造体。超伝導構造体は更に、メゾスコピック位相素子の量子状態とメゾスコピック電荷素子の量子状態とが相互作用するように、メゾスコピック位相素子とメゾスコピック電荷素子とを結合する機構を含む。別の態様では、超伝導構造体は、メゾスコピック電荷素子の量子状態を読み出す機構を含む。

請求項（抜粋）：

メゾスコピック位相素子と、 メゾスコピック電荷素子と、 前記メゾスコピック位相素子の量子状態と、前記メゾスコピック電荷素子の量子状態とが相互作用するように、メゾスコピック位相素子とメゾスコピック電荷素子とを結合する機構と、 を有することを特徴とする超伝導構造体。

IPC (1件)：

H01L39/22

FI (2件)：

H01L39/22 A ,  H01L39/22 K

Fターム (16件)：

4M113AA04 ,  4M113AA05 ,  4M113AA14 ,  4M113AA15 ,  4M113AA25 ,  4M113AC45 ,  4M113AD36 ,  4M113BB09 ,  4M113CA12 ,  4M113CA13 ,  4M113CA14 ,  4M113CA16 ,  4M113CA31 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA36