特許

J-GLOBAL ID：200903001158602166

半導体装置およびその製造方法、並びに半導体モジュール

発明者： 望月 和浩 ,  大部 功 ,  田上 知紀 ,  田窪 千咲紀 ,  田中 健一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-118531
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327604
出願日： 2003年04月23日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】本発明の課題は、高周波特性ばらつきを抑制した小型電力増幅器モジュールに適した半導体装置を低コストで実現することである。【解決手段】本発明の骨子は、次の通りである。ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を用いたモノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)において、エミッタ、ベース、コレクタそれぞれにビアホールを設け、そのうちの一つをMMIC裏面でHBTと相対する位置に設ける。MMIC裏面でHBTと相対する位置以外に設けられたビアホールにおけるMMIC基板側表面電極をいずれもMMIC基板に接して設ける。【選択図】 図1

請求項１：

半導体基板に少なくとも半導体素子を有し、前記半導体素子の所望領域へ接続される各導体層の当該半導体素子の外部への導出は、前記半導体基板の半導体素子が搭載される面とは反対側の面側から導出されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L21/60 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L23/12 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L27/082 ,  H01L29/737

FI (5件)：

H01L21/60 311Q ,  H01L23/12 301Z ,  H01L29/72 H ,  H01L25/04 Z ,  H01L27/08 101B

Fターム (31件)：

5F003BB01 ,  5F003BC01 ,  5F003BE01 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH00 ,  5F003BJ06 ,  5F003BM03 ,  5F003BN02 ,  5F003BP11 ,  5F003BP21 ,  5F003BP31 ,  5F044KK05 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ07 ,  5F044RR06 ,  5F082AA04 ,  5F082BA21 ,  5F082BA35 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082CA02 ,  5F082CA03 ,  5F082DA02 ,  5F082DA03 ,  5F082DA06 ,  5F082EA12 ,  5F082EA22 ,  5F082FA20 ,  5F082GA02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-170284   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082217   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-038421   出願人：松下電器産業株式会社