特許

J-GLOBAL ID：200903001159154060

積層セラミックコンデンサとその製造方法

発明者： 茶園 広一 ,  静野 寿光 ,  岸 弘志
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 窪田 法明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-125294
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307940
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 積層セラミックコンデンサの小型大容量化のために誘電体層を薄層化させ、誘電体層の積層数を増加させて行くと、1層当たりの電界強度が大きくなり、内部電極間で絶縁破壊が生じ易くなり、積層セラミックコンデンサの寿命が短くなり、積層セラミックコンデンサの電気的特性に対する信頼性が低下するという問題があった。【解決手段】 複数の誘電体層と複数の内部電極とを一体的に積層してなり、該誘電体層が誘電体磁器組成物からなり、該誘電体磁器組成物が主成分粒子と、該主成分粒子の粒界に形成された二次相とを含む焼結体からなる積層セラミックコンデンサにおいて、該二次相の絶縁抵抗を該主成分粒子より高くした。ここで、前記主成分粒子中に固溶している成分を前記二次相の主成分としてもよい。

請求項（抜粋）：

複数の誘電体層と複数の内部電極とを一体的に積層してなり、該誘電体層は誘電体磁器組成物からなり、該誘電体磁器組成物は主成分粒子と、該主成分粒子の粒界に形成された二次相とを含む焼結体からなり、該二次相は該主成分粒子より絶縁抵抗が高いことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。

IPC (5件)：

H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 301 ,  H01G 4/30 311 ,  H01G 4/30

FI (5件)：

H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 301 F ,  H01G 4/30 311 A ,  H01G 4/30 311 D

Fターム (27件)：

5E001AB03 ,  5E001AD00 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH06 ,  5E001AH08 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC39 ,  5E082EE04 ,  5E082EE35 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082LL01 ,  5E082LL02 ,  5E082LL03 ,  5E082MM24 ,  5E082PP03

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 積層型セラミックチップコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-086679   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 誘電体磁器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-300934   出願人：京セラ株式会社
• 積層型セラミックチップコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-154355   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 誘電体磁器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157671   出願人：太陽誘電株式会社
• 積層型コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-342251   出願人：京セラ株式会社