特許

J-GLOBAL ID：200903001159714863

スピンバルブ型磁気センサ

発明者： 田島 康成 ,  西岡 浩一 ,  重松 恵嗣 ,  今川 尊雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145335
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339632
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 異なるNiFe膜厚のスピンバルブ型磁気センサにおいても、容易に自由層の磁歪を小さく保ち、ノイズを少なくすること。【解決手段】 外部磁界によって磁化の方向が変化するNiFeを主成分とする第1の強磁性体層と、磁化方向が第1の強磁性体層の磁化方向に対して所定の角度をなす第2の強磁性体層と、第1と第2の強磁性体層を分離する非磁性体のスペーサ層と、第2の強磁性体層の磁化方向を所望の方向に維持する反強磁性体層と、を備えたスピンバルブ型磁気センサであって、第1の強磁性体層のスペーサ層対向側にTaを主成分とした下地層60を設け、第1の強磁性体層68と下地層との間に第1の強磁性体層の磁歪の大きさを制御する磁歪制御層61を設けること。磁歪制御層はPdを主成分とする層であること。Pdの膜の厚さによってNiFeを主成分とする第1の強磁性体層の厚さが変更できるものであること。

請求項（抜粋）：

外部磁界によって磁化の方向が変化するNiFeを主成分とする第1の強磁性体層と、ゼロ印加磁界のときに磁化方向が前記第1の強磁性体層の磁化方向に対して所定の角度をなす第2の強磁性体層と、前記第1の強磁性体層と第2の強磁性体層を分離する非磁性体のスペーサ層と、前記第2の強磁性体層の磁化方向を所望の方向に維持するための反強磁性体層と、を備えたスピンバルブ型磁気センサであって、前記第1の強磁性体層の前記スペーサ層対向側にTaを主成分とした下地層を設け、前記第1の強磁性体層と前記下地層との間に前記第1の強磁性体層の磁歪の大きさを制御する磁歪制御層を設けることを特徴とするスピンバルブ型磁気センサ。

Fターム (5件)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA18 ,  5D034BB02 ,  5D034CA04