特許
J-GLOBAL ID：200903001165542233
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-033323
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227509
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【目的】一対の電極を通してMR膜に信号検出電流を流すとき、図1のように保護膜を凹状に加工し、エレクトロマイグレーションによる電極の端部と保護膜の間の断線を防止し、また、媒体からの情報の再生時のバルクハウゼンノイズの発生を防止し、性能を向上させた信頼性の高いMRヘッド及びその製造方法を提供する。【構成】MR膜6、ソフトバイアス膜4及びシャントバイアス膜5の積層構造の上に導電性の保護膜3を形成する。この保護膜3の上に、電極膜2aを成膜し、その上にホトレジストパターン1を形成し、このホトレジストパターン1をマスクとしてイオンミリング法により電極2を加工する。このとき、一対の電極2に挾まれた領域の保護膜3を凹状に加工する。
請求項（抜粋）：
下部磁気シールド膜、絶縁体よりなる下部磁気ギャップ膜、絶縁体よりなる上部磁気ギャップ膜、上部磁気シールド膜、該下部磁気ギャップ膜と該上部磁気ギャップ膜の間に配置された、磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加する少なくとも一種類のバイアス膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための一対の電極とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果膜とバイアス膜の少なくとも一方の膜上に、第1の導体膜が形成され、その直上に第2の導体膜を加工して、前記磁気抵抗効果膜及びバイアス膜に損傷を与えずに、前記の一対の電極に挾まれた領域の前記第1の導体膜の膜厚を15nm以下に、もしくは前記の一対の電極に挾まれた領域の前記第1の導体膜の形状を凹型にすることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11B 5/39
, H01L 43/08 U
, H01L 43/08 H
