特許

J-GLOBAL ID：200903001166684732

光電変換素子用半導体膜および光電気化学電池

発明者： 多田隈 芳夫 ,  金田 卓爾
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273742
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106222
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 優れた光電変換効率を有する廉価な光電変換素子および光電気化学電池を提供する。【解決手段】 導電性支持体上に半導体膜が形成された光電変換素子用半導体膜において、半導体膜が少なくとも二つの異なる粒子サイズ分布をもつ半導体微粒子からなり、該半導体膜を加熱処理した後に色素増感する。

請求項（抜粋）：

導電性支持体上に半導体膜が形成された光電変換素子用半導体膜において、半導体膜が少なくとも二つの異なる粒子サイズ分布をもつ半導体微粒子からなり、該半導体膜を加熱処理した後に色素増感したことを特徴とする光電変換素子用半導体膜。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (8件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04 ,  5H032HH06