特許
J-GLOBAL ID：200903001169485366
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-157591
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038068
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 良好な耐圧特性および対リーク特性を有するキャパシタを有し、かつ高集積化に適した半導体装置を提供する。【構成】 シリコン基板31の表面には、ソース/ドレイン領域25が形成されている。シリコン基板31の表面上にはソース/ドレイン領域25の一部表面を露出するコンタクトホール1a、3aを有する層間絶縁膜1、3が形成されている。このコンタクトホール1a、3aには、プラグ層9aが充填されている。このプラグ層9aを通じてソース/ドレイン領域25と電気的に接続されるように強誘電体膜15を有するキャパシタ20が形成されている。層間絶縁膜は、シリコン酸化膜1とシリコン窒化膜3との2層構造よりなっている。またシリコン窒化膜3とプラグ層9aの上部表面は同一平面をなすよう形成されている。
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成された不純物領域と、前記不純物領域を覆うように前記半導体基板の主表面上に形成され、かつ前記不純物領域の一部表面に達する第1の孔を有する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の孔の内壁面と連続した内壁面を有する第2の孔を有する第2の絶縁膜とを備え、前記第1と第2の孔は、写真製版により形成可能な最小加工寸法よりも小さい開口径を有し、かつ前記第2の絶縁膜の上部表面から前記不純物領域に達するように延びており、さらに、前記不純物領域の一部表面と接するように前記第1と第2の孔を充填し、かつ前記第2の絶縁膜の上部表面と実質的に同一平面をなす表面を有する埋込導電層と、前記埋込導電層と接するように前記第2の絶縁膜の上部表面上に形成された下部電極層と、前記下部電極層を覆うように形成され、高誘電率材料を含むキャパシタ絶縁層と、前記キャパシタ絶縁層を介在して前記下部電極層を覆うように形成された上部電極層とを備えた、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/822
, H01L 27/04
