特許
J-GLOBAL ID：200903001171582930
化合物半導体結晶層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018787
公開番号（公開出願番号）：特開平5-213693
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：
【要約】【目的】 多孔質シリコン基板上に転位や残留応力の少ない化合物半導体の結晶層を形成する方法を提供しようとするものである。【構成】 シリコン基板の表面を多孔質化する多孔質化工程と、化合物半導体結晶の成長工程とを有する化合物半導体の結晶層を形成する方法において、化合物半導体結晶の成長工程で原料ガスやキャリアガスを導入する前に、10-1Torr以下の真空中で500°C以下の比較的低温で加熱することを特徴とする化合物半導体の結晶層の形成方法である。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面を多孔質化する多孔質化工程と、化合物半導体結晶の成長工程とを有する化合物半導体の結晶層を形成する方法において、化合物半導体結晶の成長工程で原料ガスやキャリアガスを導入する前に、10-1Torr以下の真空中で500°C以下の比較的低温で加熱することを特徴とする化合物半導体の結晶層の形成方法。
IPC (3件)：
C30B 25/18
, C30B 25/02
, H01L 21/205
