特許

J-GLOBAL ID：200903001175442660

半導体製造方法および装置

発明者： 瀬戸 昌敏 ,  宮下 利明 ,  平 賢二 ,  禅院 智徳 ,  飯塚 朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114491
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298166
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 イオン源であるフィラメントの長寿命化を図り、かつ被処理物への処理のスループットを向上させる。【解決手段】 フィラメント2のフィラメント形成材料であるタングステンによって形成されたカバー部材11(犠牲ターゲット部材)がフィラメント2の近傍2aに設けられるとともにイオンが生成される第1処理部4と、第1処理部4に処理ガス3であるBF3 を供給するガス供給部5と、前記イオンをイオンビーム6として第1処理部4から取り出す引出し加速電極と、イオンビーム6を半導体ウェハに照射してイオン打込みが行われる第2処理部とからなり、第1処理部4に前記BF3 を供給してイオンを生成する際に、前記BF3 との化学反応によってカバー部材11のタングステンをエッチングし、そのタングステンをフィラメント2に付着させながら前記半導体ウェハにイオンを打込む。

請求項（抜粋）：

フィラメントを用いて被処理物を処理する半導体製造方法であって、前記フィラメントが設置された第1処理部に処理ガスを供給することにより、前記フィラメントを形成するフィラメント形成材料と同じ材料を有しかつ前記フィラメントの近傍に設けられた犠牲ターゲット部材の前記フィラメント形成材料を前記処理ガスとの化学反応によってエッチングし、そのフィラメント形成材料を前記フィラメントに付着させながら前記被処理物を処理することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  C23C 14/30 ,  H01J 37/317

FI (3件)：

H01L 21/265 D ,  C23C 14/30 B ,  H01J 37/317 Z