特許
J-GLOBAL ID:200903001176107768
半導体用特殊材料ガス供給装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
河▲崎▼ 眞樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-315549
公開番号(公開出願番号):特開平8-153685
出願日: 1994年11月25日
公開日(公表日): 1996年06月11日
要約:
【要約】【目的】 ガスボンベ収納庫から半導体製造装置へのガス配管系にガス成分、濃度、流量等を監視するモニタ-を組み込み、誤接続や誤配管或いは誤交換といった事故を防止することのできる半導体用特殊材料ガス供給装置を提供する。【構成】 半導体用特殊材料ガスを収納した複数本のガスボンベ(1、2、3)に連結された各管路(5、6、7)にマスフロ-コントロ-ラ(11、12、13)を配置するとともに、合流点8と半導体製造装置14との間の管路10途中にインラインガスモニタ-9を配置し、マスフロ-コントロ-ラ(11、12、13)及びインラインガスモニタ-9を半導体用ガス供給装置用制御装置15に接続して各出力信号を照合し、これらの信号の一致或いは不一致によりガスの供給を制御するように構成する。
請求項(抜粋):
半導体用特殊材料ガスを収納した複数本のガスボンベに連結された各管路にマスフロ-コントロ-ラを配置するとともに、これらの管路の合流点と半導体製造装置との間の管路途中にインラインガスモニタ-を配置し、前記マスフロ-コントロ-ラ及びインラインガスモニタ-を半導体用ガス供給装置の制御装置に接続して成る半導体用特殊材料ガス供給装置。
IPC (2件):
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開昭51-087961
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特開平1-205517
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特開昭52-004781
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化学気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-293174
出願人:三菱電機株式会社
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特開平1-282604
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ガス濃度検知器付常圧CVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-086340
出願人:九州日本電気株式会社
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特開昭62-043121
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