特許
J-GLOBAL ID：200903001178499450
半導体装置の内部配線構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324876
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160339
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】パワートランジスタモジュールなどを対象に、発振,誤動作の要因となる内部リード線を排除し、併せて材料歩留りの向上,組立工程の簡易化が図れるようにした半導体装置の内部配線構造を提供する。【構成】主回路,補助回路の半導体チップ4,5を搭載した回路基板の導体パターン3とケース蓋8に外部導出端子9,10を嵌挿した端子ブロック7との間に、一連の内部配線を主回路用のリードフレームと補助回路用のリードフレームに形成し、かつ各リードフレームを樹脂製の保持枠で一体にモールド成形して構成した配線ブロック12を介装し、該配線ブロックを介して回路基板側の端子接続部と端子ブロックの外部導出端子との間を半田付けして内部配線を行う。
請求項（抜粋）：
主回路,補助回路の半導体チップを搭載した回路基板の導体パターンとケース蓋に外部導出端子を嵌挿した端子ブロックとの間を内部配線して組立てた半導体装置において、前記端子ブロックと回路基板との間に一連の内部配線をリードフレームで構成した配線ブロックを介装し、該配線ブロックを介して回路基板側の端子接続部と端子ブロックの外部導出端子との間を相互接続したことを特徴とする半導体装置の内部配線構造。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/48
