特許
J-GLOBAL ID：200903001181418127

半導体光センサ

発明者：
高村 文雄

高村 文雄 について

, 
小池 誠二

小池 誠二 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-012885
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202971
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 シリコン等の半導体の受光素子を使用しながらも、低コストで比視感度特性に近い分光感度特性を実現した半導体光センサを提供する。 【解決手段】 ほぼ400nm〜1100nmの範囲の波長に高い分光感度を有する半導体受光素子と、該半導体受光素子の少なくとも受光面側を封止する光透過樹脂とを含む半導体光センサを構成する。その光透過樹脂は、粒径がほぼ100nmを超えない金属ホウ化物微粒子を透明樹脂内に分散させたもので、ほぼ700nm以上の波長域の光を遮光する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも可視光域から赤外域にかけての波長に高い分光感度を有する半導体受光素子と、該半導体受光素子の少なくとも受光面側を封止する光透過樹脂とを含む半導体光センサにおいて、 前記光透過樹脂は、La、Pr、Nd、Ce、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、又はWの内から選択された1又は2以上の元素のホウ化物であって且つ粒径がほぼ100nmを超えない微粒子を透明樹脂内に分散したものであることを特徴とする半導体光センサ。
IPC (1件)：
H01L 31/02
FI (1件)：
H01L31/02 B
Fターム (7件)：
5F088AB03 ,  5F088AB07 ,  5F088BA20 ,  5F088HA06 ,  5F088JA06 ,  5F088JA07 ,  5F088JA11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 照度センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-161277   出願人：松下電工株式会社
審査官引用 (6件)
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