イオン注入装置及びその制御方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267650
公開番号（公開出願番号）：特開平5-106037
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：

【要約】【目的】この発明は、二次電子の発生量を高め、二次電子を効率的に半導体基板に到達させることによって、イオン注入により帯電した半導体基板を中和し、絶縁膜の静電破壊を防止し、信頼性の高い半導体装置が得られるイオン注入装置及びその制御方法を得ることを目的とする。【構成】二次電子発生手段であるリング状電極22は、支持台21に載置された半導体基板7を固定するためのクランプリング20上に設けられ、クランプリング20とは電気的に絶縁され、かつ支持台21に対して負にバイアスされている。また、二次電子反射手段であるカップ状電極23は、半導体基板7の外周部周辺を囲んで配置され、支持台21に対して負にバイアスされてている。イオンビーム2の照射によりリング状電極22で発生した二次電子19は、カップ状電極23により正に帯電した半導体基板7に配向され、この正の帯電を緩和する。

請求項（抜粋）：

イオン源からイオンを引き出してイオンビームを形成し、このイオンビームを半導体基板に注入するイオン注入装置であって、上記半導体基板を支持台に保持する固定部材に隣接し上記半導体基板の周囲を囲んで配置されると共に、上記支持台に対して負にバイアスされた二次電子発生手段と、上記半導体基板の外周部周辺を囲んで配置されると共に、上記支持台に対して負にバイアスされ、上記二次電子発生手段で発生した二次電子を上記半導体基板に配向させる二次電子反射手段とを備えたことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (5件)：

C23C 14/48 , C23C 14/54 , H01J 37/24 , H01J 37/317 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 N , H01L 21/265 E

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