特許
J-GLOBAL ID：200903001184645620
半導体素子切断方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-339265
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188311
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェハーを個々の半導体素子毎に切断するダイシング工程において、表面に発生するピッチングを抑制することにより、半導体素子の寿命向上、精度向上等を図ることのできる半導体素子切断方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体ウェハー1上の切断領域5にエッチング処理によって、凹形状の切断溝7を形成するエッチング工程と、前記エッチング工程で形成された切断溝7に沿って個々の半導体素子に切断するダイシング工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
同一の半導体ウェハー上に形成された複数の半導体素子を切断して、所定サイズの半導体素子を形成する半導体素子切断方法において、前記半導体ウェハー上の切断領域をエッチング処理によって、凹形状の切断溝を形成するエッチング工程と、前記エッチング工程で形成された凹形状の切断溝に沿って個々の半導体素子に切断するダイシング工程と、を含むことを特徴とする半導体素子切断方法。
IPC (2件)：
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