特許
J-GLOBAL ID：200903001185381554

放射線検出器および放射線検出器の試験方法

発明者：
茂木 健一

茂木 健一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-004754
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 γ線の線量または線量当量を測定するための放射線検出器に係り、特に、広範囲のエネルギーにわたり検出感度差を低減するものを得ることを目的とする。【解決手段】 放射線を検出することができる半導体検知体8を用いる放射線検出器において、半導体検知体8は光を検出することができ、半導体検知体8の放射線の入射面と相反する面に形成された下部電極15は、光を透過する透明電極にてなり、下部電極15上に光学的に接続するように形成されたシンチレータ層11と、シンチレータ層11の半導体検知体8と接していない面を覆うように形成された反射層13とを備え、シンチレータ層11に半導体検知体8を介して侵入した放射線にて発光した蛍光を半導体検知体8にて検出するものである。
請求項（抜粋）：
放射線を検出することができる半導体検知体を用いる放射線検出器において、上記半導体検知体は光を検出することができ、上記半導体検知体の上記放射線の入射面と相反する面に形成された下部電極は、上記光を透過する透明電極にてなり、上記下部電極上に光学的に接続するように形成されたシンチレータ層と、上記シンチレータ層の上記半導体検知体と接していない面を覆うように形成された反射層とを備え、上記シンチレータ層に上記半導体検知体を介して侵入した放射線にて発光した蛍光を上記半導体検知体にて検出することを特徴とする放射線検出器。
IPC (2件)：
G01T 1/24 ,  G01T 1/20
FI (3件)：
G01T 1/24 ,  G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 H
Fターム (10件)：
2G088EE09 ,  2G088FF04 ,  2G088GG10 ,  2G088GG16 ,  2G088GG19 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ01 ,  2G088JJ08 ,  2G088JJ30 ,  2G088LL28
引用特許：
審査官引用 (14件)
  • 特開昭61-259577
  • 特開昭64-059094
  • 特開昭64-059094
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