特許

J-GLOBAL ID：200903001189827549

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 宮坂 英男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332557
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133371
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 ツールによる押圧力を半導体チップに効率良く伝達し、かつ、半導体チップと基板との間の接着剤がツールに接着するのを防止することができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、熱硬化性の接着剤24を介して基板20と半導体チップ10とを対向させ、押圧部32を有するツール30によって、半導体チップ10を基板20の方向に押圧することを含み、押圧部32は、押圧工程で半導体チップ10に接する領域に含まれる第1の領域34と、第1の領域34よりも外側の第2の領域36と、を有し、押圧工程で、第1の領域34を、第2の領域36よりも高い温度に加熱する。

請求項（抜粋）：

熱硬化性の接着剤を介して基板と半導体チップとを対向させ、押圧部を有するツールによって、前記半導体チップを前記基板の方向に押圧することを含み、前記押圧部は、前記押圧工程で前記半導体チップに接する領域に含まれる第1の領域と、前記第1の領域よりも外側の第2の領域と、を有し、前記押圧工程で、前記第1の領域を、前記第2の領域よりも高い温度に加熱する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 T

Fターム (4件)：

5F044LL09 ,  5F044LL11 ,  5F044PP16 ,  5F044PP19