特許
J-GLOBAL ID：200903001192520888
高温高圧ガス処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005657
公開番号（公開出願番号）：特開2000-202275
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体を高温高圧でガス処理するには、加熱・加圧工程、保持工程、冷却・減圧工程をこの順番で行う。このうち冷却・減圧工程において、ハンドリング可能な温度まで温度低下を待ってから減圧を始めると水滴付着による不良品化を招来し、直ぐに減圧を開始すると温度低下に長時間を要するといった不具合があり、結果、いずれの方法も、全処理時間を長引かせることになっていた。【解決手段】 冷却・減圧工程において、高圧状態のまま放冷をはじめて、処理室が所定温度・所定圧力になった時点で、減圧を開始する。減圧開始時は、ハンドリング温度を目標にして経験則に基づいて決定する。これで、効率のより温度低下が得られ、しかも大気圧まで減圧したときに過剰な温度低下が生じることがない。結果として、良品の半導体を、極めて短時間で処理することができる。
請求項（抜粋）：
圧力容器(4)内の処理室(8)へ装填した被処理物(W)に加熱・加圧工程、保持工程、及び冷却・減圧工程を施して容器外へ取り出す高温高圧ガス処理方法において、上記冷却・減圧工程では、保持工程終了時の高圧状態を保持させたままで加熱を停止させる放冷を最初に行わせ、次に該放冷後に処理室が所定温度・所定圧力になった段階で減圧を開始させる手順をとることにより、上記減圧によって大気圧にした段階で同時に被処理物か所望するハンドリング温度になるようにすることを特徴とする高温高圧ガス処理方法。
引用特許：
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