特許
J-GLOBAL ID：200903001193382268

MOSトランジスタ及びその製造方法

発明者：
綱川 豊廣

綱川 豊廣 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069180
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283404
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極直下の酸化膜劣化を防止し、変動特性や耐圧特性等のデバイス特性を向上させたMOSトランジスタを提供する。【構成】 シリコン基板1上のゲート酸化膜3のうちゲート電極直下の部分を除去しておくと共に、一方、研磨用基板8側に、ゲート電極12とゲート材料パターン9とを形成しておく。そして、両基板どうしを張り合わせた後、研磨用基板8を裏面側から研磨して、ゲート電極直下に真空空間3Bを有するMOSトランジスタを形成する。これにより、変動特性や耐圧特性を向上させることが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に絶縁領域を介してゲート電極が形成され、且つ該半導体基体にLDD領域が形成されたMOSトランジスタにおいて、前記絶縁領域が真空空間であることを特徴とするMOSトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • MISトランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-225019   出願人：日産自動車株式会社
  • 特開昭63-044766
  • 特開昭61-183969
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