特許
J-GLOBAL ID：200903001193498304
半導体集積装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192955
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036281
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【構成】 カレントミラー構成したバイポーラアンプの活性化用電流源回路及び前記バイポーラアンプの入力側バイポーラトランジスタのコレクタ負荷回路をMOSトランジスタの直並列回路とし、前記MOSトランジスタの直並列回路の導通及び非道通により前記バイポーラアンプの出力側バイポーラトランジスタのコレクタ負荷に流れる電流を制御する構成とする。【効果】 同一ゲート段にてアンプ機能とデコ-ド機能を持つことが可能である為、ゲート段数及びトランジスタ数を低減でき、高速で低レイアウト面積(高集積)の半導体集積装置が得られるという効果がある。
請求項（抜粋）：
第一導電型のエミッタが第一のノードにベースが第二のノードにコレクタが出力端子に接続された第一のバイポーラトランジスタと、第一の電源と出力端子間に接続された負荷回路と、第一導電型のエミッタが第一のノードにベース及びコレクタが第二のノードに接続された第二のバイポーラトランジスタと、第二のノードと第一の電源間に設けられ前記第一のバイポーラトランジスタのコレクタに流れ込む電流値を切り替える第一の電流切り替え回路と、前記第一のノードと前記第二の電源間に設けられ前記第一のバイポーラトランジスタのエミッタ電流値と前記第二のバイポーラトランジスタのエミッタ電流値を切り替える第二の電流切り替え回路とを具備したことを特徴とする半導体集積装置。
IPC (2件)：
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