特許
J-GLOBAL ID：200903001193985019
パターン膜除去方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087049
公開番号（公開出願番号）：特開平5-289311
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 エッチングガスをともなう集束イオンビームによるパターン膜除去加工において、加工品質を落とさずに使用するガス量を少なくする。【構成】 試料10のパターン膜の厚さの大部分を集束イオンビーム3によるスパッタリングのみによって除去し、残りの部分をエッチングガス9をともなうイオンビーム支援エッチングによって除去する。エッチングガス9の吹き付けを、パターン膜除去加工中に断続的にオン、オフする、あるいは、吹き付ける量を変化させることにより、真空系に導入されるエッチングガスの全量を減らしている。【効果】 パターン膜除去加工中に導入されるエッチングガスの全量が減ることにより、従来エッチングガスが真空系に与えていたダメージを軽減することができる。
請求項（抜粋）：
イオン源と、イオン源より発生したイオンビームを集束、偏向するための光学系と、試料上にエッチングガスを吹き付けるためのガス銃と、試料より放出される2次荷電粒子の検出器と、検出器の出力に応じて前記試料上のパターンを表示する画像表示装置からなるパターン膜除去装置を用いたパターン膜除去方法において、エッチングガスの吹き付けを、パターン膜除去加工中に断続的にオン、オフすることを特徴としたパターン膜除去方法。
IPC (5件)：
G03F 1/08
, C23F 4/00
, H01J 37/305
, H01L 21/027
, H01L 21/302
