特許
J-GLOBAL ID：200903001194621347
容量式圧力変換器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-155577
公開番号（公開出願番号）：特開平7-055617
出願日： 1994年07月07日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、容量式圧力変換器構造およびその製造方法に関する。【構成】 変換器構造は、変換器コンデンサの第一電極(4)を形成するためにその少なくとも一部が伝導性である、相接するダイアフラム構造(2);前記第一電極(4)と間隔を置いて配置され、前記第一電極(4)と本質的に一直線上にある前記変換器コンデンサの第二電極(5)を含み、前記ダイアフラム構造(2)の第一表面に永久的に結合した基板(3);および前記第一電極(4)のたわみを収容するのに適した空間(21)を含み、前記ダイアフラム構造(2)の第二表面に永久的に結合したシリコン構造(1)を含む。本発明によれば、前記空間(21)の垂直壁(11)と前記第一電極(4)との間の角度αが90度以下であり、前記空間(21)を取り囲む物質がシリコンまたはドーピングしたシリコンである。
請求項（抜粋）：
変換器コンデンサの第一電極(4)を形成するためにその少なくとも一部が伝導性である、相接するダイアフラム構造(2);前記第一電極(4)と間隔を置いて配置され、前記第一電極(4)と本質的に一直線である前記変換器コンデンサの第二電極(5)を含み、前記ダイアフラム構造(2)の第一表面に永久的に結合した基板(3);および前記第一電極(4)のたわみを収容するのに適した空間(21)を含み、前記ダイアフラム構造(2)の第二表面に永久的に結合したシリコン構造(1)を含む容量式圧力変換器構造において、前記空間(21)の垂直壁(11)と前記第一電極(4)との間の角度αが90度以下であり、前記空間(21)を取り囲む物質がシリコンまたはドーピングしたシリコンであることを特徴とする容量式圧力変換器構造。
IPC (2件)：
引用特許：
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