特許

J-GLOBAL ID：200903001194669676

コンタクトを有する半導体素子及びその製造方法

発明者： イン スール チュン ,  ヨン ジャン キム
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 笹島 富二雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070015
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097297
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 素子分離酸化膜(1b)の嘴状になった縁を損傷することなく動作領域にコンタクトを形成し、接合破壊電圧及び接合漏洩電流の特性を改善する。【構成】 第1拡散領域(2)上にシリコン酸化膜(7) を形成し、エッチング障壁物質(8)を、酸化膜(7)上、及びその両側で嘴状になった素子分離酸化膜(1b)の縁上にわたって蒸着し(第2の工程)、前記フォトレジススト(4)のパターンを利用して、コンタクトホールが形成される動作領域上の層間絶縁膜(3)及びエッチング障壁物質(8)を順次にエッチングし、さらに露出したシリコン酸化膜(7)を除去してコンタクトホールを形成する(第3の工程)。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1a)、動作領域である第1不純物拡散領域(2)、素子分離酸化膜(1b)を含むコンタクトを有する半導体素子において、前記素子分離酸化膜(1b)上に塗布される絶縁膜(3)と、前記素子分離酸化膜(1b)上の絶縁膜(3)内に形成されているエッチング障壁物質(8)と、前記第1不純物拡散領域(2)と接続される導電物質(5)と、を含んで構成されたことを特徴とするコンタクトを有する半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-150338
  
• 特開昭59-152643
  
• 特開平3-157925
  
• 特開平1-278046