特許
J-GLOBAL ID：200903001195237419
セラミックヒータおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350317
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189226
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 高融点金属を埋設するセラミックヒータを焼結体で構成するにあたって、高融点金属による発熱体またはリードとのタングステンシリサイドのような反応層の生成を防ぎ、抵抗の安定性を維持する。【解決手段】 セラミックヒータ10を、窒化珪素質または炭化珪素質による絶縁性セラミックによる焼結体14中に、融点が2000°C以上の高融点金属を発熱体11あるいはリード12,13として使用して埋設することにより形成する。窒化珪素質または炭化珪素質による絶縁性セラミック中に、元素周期表におけるIIIA、IVA 、VA 族の窒化物のうちの少なくとも1種が0.01体積%〜10体積%の間の割合で含有させ、1750°Cよりも高い温度で焼成することにより、高融点金属における反応層を20μm以下で形成する。
請求項（抜粋）：
融点が2000°C以上の高融点金属を発熱体あるいはリードとして使用し、それを窒化珪素質または炭化珪素質による絶縁性セラミックからなる焼結体中に埋設しているセラミックヒータにおいて、前記焼結体を、元素周期表におけるIIIA、IVA 、VA 族の窒化物のうちの少なくとも1種を0.01体積%ないし10体積%の間の割合で含有してなる窒化珪素質または炭化珪素質による絶縁性セラミックにより形成したことを特徴とするセラミックヒータ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B 3/14 B
, F23Q 7/00 X
