特許

J-GLOBAL ID：200903001195716538

CVD-SiC被覆部材

発明者： 武田 修一 ,  稲葉 毅 ,  加藤 茂男 ,  市島 雅彦 ,  佐藤 勝憲 ,  伊藤 幸夫
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148187
公開番号（公開出願番号）：特開平8-319186
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 不純物拡散による半導体汚染を、より一層防止し、且つ、密着性も優れるCVD-SiC被覆部材の提供。【構成】 CVD-SiCより小さな熱膨張係数を有する基材表面をCVDにより酸素含有SiC膜で被覆してなり、該酸素含有SiC膜の酸素濃度が膜表面から基材方向に連続的にまたは段階的に増加すると共に、表面層で0.05重量%以下で、且つ、該基材との接合面層で25重量%以下であることを特徴とするCVD-SiC被覆部材。基材としてシリコン結晶体を用い、SiC膜の含有酸素濃度が、表面層から膜厚方向に1重量%/μm以下の濃度勾配を有することが好ましい。

請求項（抜粋）：

CVD-SiCより小さな熱膨張係数を有する基材表面をCVDにより酸素含有SiC膜で被覆してなり、該酸素含有SiC膜の酸素濃度が膜表面から基材方向に連続的にまたは段階的に増加すると共に、表面層で0.05重量%以下で、且つ、該基材との接合面層で25重量%以下であることを特徴とするCVD-SiC被覆部材。

IPC (5件)：

C04B 41/87 ,  B32B 5/14 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C04B 41/87 G ,  B32B 5/14 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205