配線材料およびこれを用いた配線を備えた半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076777
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332259
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 TFT特性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】アクティブマトリクス型の表示装置の作製方法において、不純物イオンのドーピングの際、電極への酸素イオンの注入を防止して電極材料の低い電気抵抗率を保つ。こうして、低い電気抵抗率を有する電極を備えた表示装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

タングステンを主成分とする配線材料であって、前記配線材料中における酸素の含有量は30ppm以下であり、且つ前記配線材料中にアルゴンを含むことを特徴とする配線材料。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1343 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/285 , H01L 21/3205 , H01L 29/43

FI (9件)：

H01L 29/78 617 L , G02F 1/1343 , G09F 9/30 338 , H01L 21/285 S , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 R , H01L 29/46 R , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 617 M

引用特許：

審査官引用 (11件)

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