特許

J-GLOBAL ID：200903001209138842

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 巌 ,  田上 康成 ,  京極 健
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097546
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286091
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】 従来では、形成過程の加熱環境下による半導体ウエハの反りを防止するため、半導体ウエハ保護用粘着シートを作成し、半導体ウエハに貼り合わせていたが、製造コストが高く、粘着剤が残存するという問題があった。【解決手段】 本発明では、半導体ウエハ41の裏面に、例えば、シリコン窒化膜から成る反り防止層16を、配線層を構成する金属層を堆積する前の工程で形成する。つまり、半導体ウエハ41を、予め、配線層による反り上がる方向と逆方向へと反らせた状態で、多層の配線層を形成する。そのことで、本発明では、配線層の形成により半導体ウエハ41は反り上がるが、その反り量Xを大幅に低減でき、露光装置では、半導体ウエハ41を確実に吸着し、固定することができる。【選択図】 図11

請求項（抜粋）：

半導体素子形成領域と成る第1主面と該第1主面と対向する第2主面とを有する半導体ウエハを準備し、少なくとも前記第1主面に対し前記半導体ウエハが上に凸な曲線を描くように反らせる反り防止層を前記第2主面に形成し、 前記第1主面側から少なくとも2層以上の配線層を形成した後、前記反り防止層を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/3205

FI (1件)：

H01L21/88 Z

Fターム (23件)：

5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033XX19 ,  5F033XX34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平03-206671号公報(第2頁、第8-11頁、第1-2図)