特許
J-GLOBAL ID：200903001210191056
薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の 検査方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西森 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065896
公開番号（公開出願番号）：特開平6-027494
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 表示エリア内のTFTの不良を含む画素の欠陥の有無を、画素電極に損傷を与えることなく短時間で検出する。【構成】 薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板上の被検査画素45に接続されているデータ線40に交流電圧を与え、かつゲート線42に薄膜トランジスタをオンさせる電圧を与えることにより、薄膜トランジスタのソース電極に接続されている画素電極45の電位を交流電位とする。一方被検査画素電極45の真上に、画素電極45とは非接触に位置決めされたプローブ44を用い、そのプローブ44と被検査画素電極45間の静電容量を介して、被検査画素電極45の交番電位を増幅器51に導き検知する。そして被検査画素45に配線の断線、短絡、TFT不良等欠陥があるとき、その画素電極電位は正常な交番電位とは異なる状態になるので、これを利用し、欠陥の有無を検出する。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配列された複数個の画素と、複数のデータ線と、複数のゲート線を備え、前記画素はスイッチングトランジスタと容量素子から成る薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板において、データ線及びゲート線に電圧を印加することにより画素電極の電位を時間的に変化させ、プローブを非接触に基板上の被検査画素電極上に位置決めし、または被検査画素電極上を移動させ、被検査画素電極上とプローブ間の静電容量を介して、被検査画素電極の電位変化を増幅器に導き、それを検知することを特徴とする薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の検査方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, G09G 3/36
