特許
J-GLOBAL ID：200903001213528400
立方晶窒化ホウ素薄膜の成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 浩 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296483
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105624
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：
【要約】【課題】 超硬合金や高速度鋼の基板あるいはこれらよりなる先端部が特殊な形状を呈する多数の工具部材の表面に同時に均一で安定した窒化ホウ素膜を形成することのできる成膜装置を提供する。【解決手段】 真空槽1内の中心部に、蒸発材料2aを充填した坩堝2bと電子銃2cを備えた蒸発源2を有し、この蒸発源2を中心にしてその周囲を上下方向に自公転回転する円盤状プレート35の外周部分に基板Tを支持する基板ホルダー3を多数本等間隔に取付け、上記蒸発源2の上方で、上記蒸発源2と上記円盤状プレート35取り付けられた多数の基板ホルダー3との間に所要間隔を有して左右対照の位置に背面にヨーク10a、10bを設け、永久磁石9を内蔵している一対の磁極9a、9bを傾斜させて配置し、上記一対の磁極9a、9bの間で磁極と同一平面内に熱電子放出用カソード6およびこれと対向するアノード5とを具備した構造の成膜装置。
請求項（抜粋）：
排気手段によって内部が排気されている真空槽と、この真空槽内の中心部に配置されていて蒸発材料が充填されている坩堝と電子銃とを備えた蒸発源と、この蒸発源を中心にしてその周囲を上下方向に回転するように自公転手段を備えた円盤状プレートの外周部分に等間隔に取り付けられていて基板を支持する多数の基板ホルダーと、上記蒸発源の上方で、且つ上記蒸発源と円盤状プレートに取り付けた多数の基板ホルダーとの間で、所要間隔を有して左右対照の位置に傾斜させて配置した永久磁石を内蔵している一対の磁極と、上記一対の磁極のそれぞれの背面に取り付けた直方体形状のヨークと、上記所要間隔を有する一対の磁極の間で磁極と同一平面内に配置される熱電子放出用カソードおよびこれと対向するアノードと、上記蒸発源の下方に設けた基板加熱のためのヒーターと、を具備していることを特徴とする立方晶窒化ホウ素薄膜の成膜装置。
IPC (4件)：
C23C 14/06
, B23P 15/28
, C23C 14/32
, B23B 27/14
C23C 14/06 J
, B23P 15/28 A
, C23C 14/32 B
, B23B 27/14 A
3C046FF12
, 4K029AA02
, 4K029BA17
, 4K029BA59
, 4K029BA60
, 4K029BB02
, 4K029BD05
, 4K029CA04
, 4K029DD04
, 4K029FA04
, 4K029JA03
