特許
J-GLOBAL ID：200903001217080977
フォルステライト磁器の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092209
公開番号（公開出願番号）：特開平5-262562
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波領域での誘電損失の小さいフォルステライト磁器を作製する方法を提供すること。【構成】 MgOとSiO2 を2対1のモル比で混合した原料粉末を、仮焼きし、粉砕してフォルステライトの粉末とし、該粉末にバインダを混合し加圧成形して成形品となし、該成形品を脱脂及び焼結してフォルステライト磁器を作成する方法である。前記原料粉末、及び該原料粉末から前記フォルステライト磁器を得る各工程において、フォルステライト磁器の磁器焼結体に含まれる不純物をAl2 O3 0.10%以下、CaO 0.05%以下、Fe2 O3 0.05%以下、ZrO2 0.40%以下、その他 0.01%以下、に制御すること、及び、前記フォルステライトの粉末の粒度分布を平均粒径3μm以下にすること、を特徴とする。
請求項（抜粋）：
MgOとSiO2 を2対1のモル比で混合した原料粉末を、仮焼きし、粉砕してフォルステライトの粉末とし、該粉末にバインダを混合し加圧成形して成形品となし、該成形品を脱脂及び焼結してフォルステライト磁器を作製する方法であって、前記原料粉末、及び該原料粉末から前記フォルステライト磁器を得る各工程において、フォルステライト磁器の磁器焼結体に含まれる不純物をAl2 O3 0.10%以下、CaO 0.05%以下、Fe2 O3 0.05%以下、ZrO2 0.40%以下、その他 0.01%以下、に制御すること、及び、前記フォルステライトの粉末の粒度分布を平均粒径3μm以下にすること、を特徴としたフォルステライト磁器の作製方法。
IPC (2件)：
C04B 35/20
, H01B 3/12 333
