特許

J-GLOBAL ID：200903001218047647

半導体装置の製造方法

発明者： 野 上 毅
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-167828
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029852
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】多層配線を有する半導体装置の製造において、深さが1000Å程度と浅いpn-接合を有するコンタクト部に、接合リークがなく、かつ、均一で低抵抗のコンタクトを形成することを可能にする方法の提供。【構成】シリコン基板表面を、フッ酸を含む液体または気体、もしくはフッ素イオンを含むプラズマと接触させることにより、Si基板表面にフッ素原子を結合させる工程と、該フッ素原子が結合されているSi基板表面にTi膜を成膜する工程とを含む半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

Si基板表面を、フッ酸を含む液体または気体、もしくはフッ素イオンを含むプラズマと接触させることにより、Si基板表面にフッ素原子を結合させる工程と、該フッ素原子が結合されているSi基板表面にTi膜を成膜する工程と、該Tiの被着した状態で550〜850°Cの熱処理によってTiSi2 層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 D