特許
J-GLOBAL ID：200903001219720434
MOS FETチツプの構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268021
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110106
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 放熱容量を大きくでき、パワーHIC用に好適なパワー用MOS FETチップの構造を提供する。【構成】 パワー用MOS FETチップ1の絶縁性の酸化膜3上にソース電極6を蒸着する際、一部をマスキングすることによって、ソース電極6とは絶縁された放熱用金属層14が形成される。同チップ1を実装したセラミック基板8をHICのケース11内に収容する場合、この放熱用金属層14とケース11の内面とを太線ワイヤ15でボンディングすることによって新たな放熱経路を形成できる。これにより放熱容量の大幅な増加が図られる。
請求項１：
ソース電極の近傍にそのソース電極と絶縁されて放熱用金属層が形成されているMOS FETチップの構造。
IPC (2件)：
前のページに戻る
