特許
J-GLOBAL ID：200903001225149722
結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206230
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029228
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 高いキャリア濃度を有するNドープ化合物半導体を安価に成長させることのできる結晶成長方法を提供する。【構成】 窒素のドーピング原料として、ヒドラジン(N2H4)を用いる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体を成長する結晶成長方法において、窒素のドーピング原料として、化学式N2H4で表されるヒドラジンを用いることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 21/223
