特許

J-GLOBAL ID：200903001232618045

改良型誘導結合プラズマ源

発明者： セルジオ エーデルシユタイン ,  マニ スブラマニ ,  ゴングダ ヤオ ,  ラルフ ホフマン ,  アヴィ テップマン ,  プラブラム ゴパルラジヤ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-312572
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214799
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 チャンバ内のプラズマ生成及び層のスパッタ堆積のための方法及び装置。【解決手段】 本発明のプラズマ生成装置は、スパッタリング中におけるマグネトロンの必要性を排除する。高密度プラズマであれば、ワークピースへのターゲット材料の堆積速度を高くするために十分なイオン化を実現することができ、これにより、マグネトロン磁界及びこれに付随するマグネトロン磁石に対する必要性を排除することができることが見出された。マグネトロンを排除することにより、ワークピースへのターゲット材料の堆積の均一性も、向上が可能である。加えて、トレンチ状の構造体やコンタクトホール等の側壁カバレージも、向上が可能である。更に、ワークピースへのターゲット材料の堆積速度も、マグネトロンスパッタリングを用いて得られるそれと、同等かあるいはそれよりも高くすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体製造システム内でワークピース上に材料をスパッタするために、プラズマにエネルギーを与える装置であって、マグネトロンフリーターゲットと、前記ターゲットに近隣するプラズマ生成領域とを有する半導体製造チャンバと、前記チャンバに保持され、前記ターゲットに衝突するイオンを生成するため前記プラズマ生成領域にエネルギーを結合する配置が与えられた、コイルとを備え、前記ターゲットから前記ワークピース上へのマグネトロンスパッタリングを生じさせるマグネトロン磁界が、前記ターゲットには実質的に存在しない装置。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 21/285 S ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S